国家知识产权局信息数据显现，微芯片技能股份有限公司请求一项名为“混合半导体晶圆及其构成办法”的专利，公开号CN121941806A，请求日期为2024年4月。
专利摘要显现，一种办法有对必定体积的碳化硅（SiC）粉末履行限制操作以构成多晶SiC（poly‑SiC）锭，以及将该poly‑SiC锭分红多个poly‑SiC晶圆基底。该办法还包含关于相应poly‑SiC晶圆基底，将硅（Si）晶圆结构键合到该相应poly‑SiC晶圆基底以限制混合Si/poly‑SiC堆叠结构；以及履行切割工艺以从该混合Si/poly‑SiC堆叠结构中移除Si晶圆结构的部分厚度以供给混合Si/poly‑SiC晶圆，该混合Si/poly‑SiC晶圆包含键合到该相应poly‑SiC晶圆基底的该Si晶圆结构的剩下部分。
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